Bu çalışmada, çinko oksit (ZnO) ince film, oda sıcaklığında p-tipi Si üzerine SILAR tekniği ile oluşturulmuş, üretilen filmin yapısal ve elektriksel özellikleri incelenmiştir. Üretilen Al/ZnO/p-Si/Al diyotun yüzey analizi taramalı elektron mikroskobu (SEM) ile gerçekleştirilmiştir. Çinko oksit ince filmin yapısal özellikleri X-ışını kırınımı (XRD) ile belirlenmiştir. XRD analizinde çinko oksit yapısının hekzagonal wurtzite yapıda olduğu görülmüştür. Al/ZnO/p-Si/Al diyot yapısı oluşturularak numunenin elektriksel özellikleri karanlıkta ve 20, 40, 60, 80, 100 mW/cm2 ışık şiddetleri altında incelenmiştir. Al/ZnO/p-Si/Al diyotun elektriksel karakterizasyonu için karanlıkta ve farklı aydınlatma şiddetlerinde akım-voltaj (I-V), akım-zaman (I-t) ölçümleri alınmıştır. Akım voltaj (I-V) grafiklerinden yararlanılarak, malzemenin idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Φb), doyma akımı (I0) değerleri hesaplanmıştır. Aydınlatma şiddetinin artmasıyla ters beslemde her bir aydınlatma için fotoakımın arttığı, Al/ZnO/p-Si/Al diyotun aydınlatmaya duyarlı olduğu ve fotodiyot özellik gösterdiği tespit edilmiştir. Üretilen Al/ZnO/p-Si/Al diyotun fototepki özelliğini incelemek için akım zaman (I-t) ölçümleri değerlendirilmiş ve aydınlatma şiddeti arttıkça ters beslemde akımın arttığı gözlemlenmiştir. Al/ZnO/p-Si/Al diyotun akım zaman grafiğindeki akım değerlerinden Iaçma/Ikapama oranları hesaplanmıştır. Al/ZnO/p-Si/Al diyotunun Norde yöntemi ile seri direnç (Rs) değerleri hesaplanmış ve seri direnç değerlerinin ohm mertebesinde olduğu belirlenmiştir. Yapılan literatür araştırmaları doğrultusunda ve elde edilen veriler neticesinde SILAR yöntemi ile üretilen Al/ZnO/p-Si/Al diyotun optoelektronik uygulamalarda foto diyot olarak kullanılabileceği görülmüştür. (Bu çalışma birinci sırada yer alan yazara ait yüksek lisans tezinden üretilmiştir).
Anahtar Kelimeler: Yarı iletken, Çinko oksit, Foto diyot, Elektriksel özellikler, Yapısal özellikler
|