Bu çalýþmada, çinko oksit (ZnO) ince film, oda sýcaklýðýnda p-tipi Si üzerine SILAR tekniði ile oluþturulmuþ, üretilen filmin yapýsal ve elektriksel özellikleri incelenmiþtir. Üretilen Al/ZnO/p-Si/Al diyotun yüzey analizi taramalý elektron mikroskobu (SEM) ile gerçekleþtirilmiþtir. Çinko oksit ince filmin yapýsal özellikleri X-ýþýný kýrýnýmý (XRD) ile belirlenmiþtir. XRD analizinde çinko oksit yapýsýnýn hekzagonal wurtzite yapýda olduðu görülmüþtür. Al/ZnO/p-Si/Al diyot yapýsý oluþturularak numunenin elektriksel özellikleri karanlýkta ve 20, 40, 60, 80, 100 mW/cm2 ýþýk þiddetleri altýnda incelenmiþtir. Al/ZnO/p-Si/Al diyotun elektriksel karakterizasyonu için karanlýkta ve farklý aydýnlatma þiddetlerinde akým-voltaj (I-V), akým-zaman (I-t) ölçümleri alýnmýþtýr. Akým voltaj (I-V) grafiklerinden yararlanýlarak, malzemenin idealite faktörü (n), engel yüksekliði (Φb), doyma akýmý (I0) deðerleri hesaplanmýþtýr. Aydýnlatma þiddetinin artmasýyla ters beslemde her bir aydýnlatma için fotoakýmýn arttýðý, Al/ZnO/p-Si/Al diyotun aydýnlatmaya duyarlý olduðu ve fotodiyot özellik gösterdiði tespit edilmiþtir. Üretilen Al/ZnO/p-Si/Al diyotun fototepki özelliðini incelemek için akým zaman (I-t) ölçümleri deðerlendirilmiþ ve aydýnlatma þiddeti arttýkça ters beslemde akýmýn arttýðý gözlemlenmiþtir. Al/ZnO/p-Si/Al diyotun akým zaman grafiðindeki akým deðerlerinden Iaçma/Ikapama oranlarý hesaplanmýþtýr. Al/ZnO/p-Si/Al diyotunun Norde yöntemi ile seri direnç (Rs) deðerleri hesaplanmýþ ve seri direnç deðerlerinin ohm mertebesinde olduðu belirlenmiþtir. Yapýlan literatür araþtýrmalarý doðrultusunda ve elde edilen veriler neticesinde SILAR yöntemi ile üretilen Al/ZnO/p-Si/Al diyotun optoelektronik uygulamalarda foto diyot olarak kullanýlabileceði görülmüþtür. (Bu çalýþma birinci sýrada yer alan yazara ait yüksek lisans tezinden üretilmiþtir).
Anahtar Kelimeler: Yarý iletken, Çinko oksit, Foto diyot, Elektriksel özellikler, Yapýsal özellikler
|
